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元件参数资料
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参数目录49364
> FDMS8018 MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
型号:
FDMS8018
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDMS8018 PDF
标准包装
3,000
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.8 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5235pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-PQFN(5x6)
包装
带卷 (TR)
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